RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 89–92 (Mi phts5946)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами

М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Образец фосфида индия InP, подвергнутый процедуре порообразования и затем легированный атомами S, исследован методами рентгеновской дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУРР) (при Cu$K_{\alpha1}$-излучении). Исходя из данных рентгеновской дифракции, показано, что образец состоит из когерентных (однонаправленных) однородных компонент. С помощью точечного детектора в режиме аномального прохождения по Борману получен ряд кривых малоуглового рассеяния рентгеновских лучей при положениях образца, варьируемых азимутальными поворотами. На основе зарегистрированных данных смоделирована 2D-картина малоуглового рассеяния рентгеновских лучей для исследуемого образца, которая позволила определить трансляционную симметрию кластеров и, следовательно, присутствие сверхструктуры. Определены межплоскостные расстояния в сверхструктуре в направлениях (110) и (1$\bar1$0) относительно решетки InP как $\sim$260 и 450 нм соответственно. Симметрия сверхструктуры определена как $C_{2v}$ в плоскости решетки образца (001).

Поступила в редакцию: 23.05.2017
Принята в печать: 24.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45324.8628


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 84–87

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024