Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)

Представлены результаты оптимизации конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с большим содержанием In ($x$ = 0.05–0.83), получаемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001), с целью улучшения морфологических характеристик его поверхности и структурных свойств, а также снижения приповерхностной плотности прорастающих дислокаций. Наименьшие значения величины шероховатости поверхностного рельефа RMS = 2.3 нм (на площади 10 $\times$ 10 мкм) и плотности прорастающих дислокаций 5 $\cdot$ 10$^{7}$ см$^{-2}$ получены в образцах, содержащих метаморфный буферный слой с корневым профилем изменения состава по толщине.