RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 133–137 (Mi phts5954)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследован процесс получения модифицированной структуры для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя выращивание с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии, плазменное травление, фотолитографию с применением жидкостного травления и создание специальных контактов для уменьшения потерь в волноводе. Использование специального типа структуры позволяет и без постростового заращивания высокоомным материалом достичь параметров, удовлетворяющих требованиям к гетероструктурам высококачественных квантовых каскадных лазеров при максимальном упрощении всего процесса изготовления.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 03.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45332.8630


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 126–130

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024