Новый механизм реализации омических контактов

Для контактов металл-полупроводник с диэлектрическим зазором выполнен анализ высоты барьера в контакте с учетом распределения поверхностных состояний по координате $x$, перпендикулярной границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что при достаточно больших уровнях легирования полупроводника учет пространственной зависимости плотности поверхностных состояний приводит к существенному уменьшению высоты барьера, что способствует реализации омических контактов. Установлено, что эффект понижения высоты барьера тем больше, чем меньше контактная разность потенциалов металл–полупроводник $\varphi_{ms}$. В случае, когда величина $\varphi_{ms}$ отрицательна, данный эффект может приводить к перемене знака потенциала, т. е. к реализации в области пространственного заряда полупроводника слоя обогащения, даже при большой плотности поверхностных состояний. В свою очередь это способствует проявлению аномальной зависимости удельного контактного сопротивления от температуры, растущего с увеличением температуры.