П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12,страницы 1594

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

П. А. Бушуйкин^a, А. В. Новиков^ab, Б. А. Андреев^ab, Д. Н. Лобанов^ab, П. А. Юнин^a, Е. В. Скороходов^a, Л. В. Красильникова^ba, Е. В. Демидов^a, Г. М. Савченко^c, В. Ю. Давыдов^c

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 10$^{18}$–10$^{19}$ см$^{-3}$, сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна–Мосса для $n$-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии.

Поступила в редакцию: 23.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45169.31