Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов

В работе для растворов КОН и HF:H$_{2}$O$_{2}$:CH$_{3}$COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH с добавлением изопропилового спирта, а затем удаляются с поверхности селективным травлением в HF:H$_{2}$O$_{2}$:CH$_{3}$COOH. Экспериментально показано, что подобный подход позволяет создавать на кремнии субмикронный рельеф поверхности, который приводит к существенному уменьшению коэффициента отражения в широком спектральном диапазоне. Полагается, что предлагаемый метод создания рельефа поверхности может быть использован для повышения эффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе кристаллического кремния.