RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страница 1630 (Mi phts5965)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

С. В. Гудинаa, В. Н. Неверовa, Е. В. Ильченкоa, А. С. Боголюбскийa, Г. И. Харусa, Н. Г. Шелушининаa, С. М. Подгорныхab, М. В. Якунинab, Н. Н. Михайловcd, С. А. Дворецкийed

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Новосибирский государственный университет
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
e Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Измерены магнитополевые (0$<B<$ 9 Тл) зависимости продольного и холловского сопротивлений при фиксированных температурах (2 $<T<$ 50 K) для системы HgCdTe/HgTe/HgCdTe с квантовой ямой HgTe шириной 20.3 нм. Активационный анализ кривых магнитосопротивления был использован в качестве инструмента для определения щелей подвижности между соседними уровнями Ландау. Значения энергии активации, полученные из температурных зависимостей продольного сопротивления в областях плато квантового эффекта Холла с факторами заполнения $v$ = 1, 2, 3, позволили сделать оценки эффективной массы и $g$-фактора электронов в исследуемой системе. Получены указания на возможность больших значений $g$-фактора ($\cong$ 80).

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45176.39


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:12, 12–18

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024