Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Ширина линии излучения лазера с характерным размером оксидной токовой апертуры 2 мкм достигает своего минимума $\sim$110 МГц при выходной мощности 0.8 мВт. При дальнейшем повышении выходной оптической мощности наблюдается аномальное уширение линии излучения, что, по-видимому, обусловлено ростом $\alpha$-фактора вследствие падения дифференциального усиления активной области в условиях повышенной концентрации носителей и высоких внутренних оптических потерь в микрорезонаторе. Проведена оценка величины $\alpha$-фактора двумя независимыми методами.