Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина, “Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1443

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP

Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны $\sim$800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45087.01