А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1447–1450

RUS ENG

Полная версия

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1447–1450 (Mi phts5985)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs

А. П. Горшков^a, Н. С. Волкова^bc, П. Г. Воронин^a, А. В. Здоровейщев^b, Л. А. Истомин^c, Д. А. Павлов^a, Ю. В. Усов^a, С. Б. Левичев^b

^a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02

Полный текст: PDF файл (241 kB)

Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1395–1398

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024