Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора

Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек.