RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1456–1461 (Mi phts5987)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца

И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Ю. М. Кузнецов, А. В. Здоровейщев, Е. А. Питиримова

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально получены значения величин термоэдс, слоевого сопротивления и коэффициента теплопроводности наноразмерного слоя Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ и сверхрешетки Mn$_{x}$Si$_{1-x}$/Si на кремнии в зависимости от температуры в диапазоне $T$ = 300–600 K. Обсуждается роль наноразмерной пленки и подложки в формировании термоэлектрического эффекта. Оценена величина термоэлектрической добротности одиночного слоя силицида марганца, сверхрешетки и системы слой/подложка. Наибольшее значение добротности $ZT$ = 0.59 $\pm$ 0.06 получено для Mn$_{0.2}$Si$_{0.8}$ при $T$ = 600 K.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45090.04


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1403–1408

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024