Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия

Метод спектроскопии фотоотражения применен для диагностики одиночных дельта-слоев марганца и углерода в нелегированном GaAs. Показано, что определяемая этим методом напряженность встроенных электрических полей растет с увеличением слоевой концентрации введенных примесей и хорошо коррелирует с технологическими данными и результатами, полученными методом Холла. Фазочувствительное фотоотражение позволило независимо измерить приповерхностное поле и поле, обусловленное дельта-легированием. Это дает возможность бесконтактно определять долю электрически активной примеси Mn и выявлять вклад $\delta$-слоев углерода в гетеросистемы на основе GaAs.