Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур

Показана возможность комплексного применения фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния в режиме латерального сканирования поперечных сколов гетероструктур для контроля распределения напряжений, определения толщины эпитаксиальных слоев и состава твердых растворов. Указанным способом исследованы свойства лазерной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP. Продемонстрирована возможность дифференцированно регистрировать фотолюминесцентное излучение от различных слоев структуры. Установлено, что определение состава твердого раствора In$_{x}$Ga$_{1-x}$P по частотному положению InP-подобной моды и по энергии фотолюминесценции дает близкие значения.