Усиление терагерцового излучения в плазмонной $n$-$i$-$p$-$i$-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда

Теоретически исследован спектр поглощения/усиления терагерцового излучения в неоднородном графене ($n$-$i$-$p$-$i$-структура) с периодической двойной металлической решеткой. Показано, что усиление терагерцового излучения на частоте плазмонного резонанса резко возрастает, когда потери за счет электронного рассеяния и потери на излучение уравновешиваются плазмонным усилением (связанным со стимулированной излучательной межзонной рекомбинацией электронно-дырочных пар в инвертированной области графена).