Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)

Впервые продемонстрирована принципиальная возможность роста A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ соединений на примере GaAs, AlGaAs и InAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке с нанометровым буферным слоем карбида кремния. Диаметр нитевидных нанокристаллов такого же состава оказался меньше, чем у подобных нанокристаллов, выращенных на кремниевой подложке. В частности, для InAs нитевидных нанокристаллов минимальный диаметр оказался менее 10 нм. Помимо этого, основываясь на спектре фотолюминесценции, было предположено, что, в случае роста AlGaAs нитевидных нанокристаллов на таких подложках, возникает сложная структура, благодаря самоорганизованному образованию в нитевидных нанокристаллах областей разного состава по алюминию.