Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия

Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после $\gamma$-нейтронного облучения с флюенсом 0.4 $\cdot$ 10$^{14}$ cм$^{-2}$. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов.