RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1552–1556 (Mi phts6007)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Гигантский эффект выпрямления терагерцового излучения в периодических графеновых плазмонных структурах

Д. В. Фатеевa, К. В. Машинскийab, Hua Qinc, Jiandong Sunc, В. В. Поповabd

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
c Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences, Suzhou, P. R. China
d Саратовский научный центр Российской академии наук

Аннотация: Рассмотрено выпрямление терагерцового излучения за счет плазмонных нелинейностей в периодической графеновой структуре с двойным решеточным затвором и асимметричной элементарной ячейкой. Исследовано влияние асимметрии элементарной ячейки на плазмонное выпрямление терагерцового излучения вблизи высших плазмонных резонансов для случаев электронной и дырочной проводимости на участках элементарной ячейки графена. Вычислена токовая чувствительность выпрямления терагерцового излучения за счет плазмонных эффектов дифференциального увлечения носителей заряда и электронно-дырочного храповика.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45110.24


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1500–1504

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024