RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1557–1564 (Mi phts6008)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора

Д. В. Хомицкий, Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов, Н. Нжийа

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Выполнен расчeт скорости релаксации энергии для переходов с участием фононов в квантовых точках различного размера, созданных магнитными барьерами на краe двумерного топологического изолятора на базе квантовой ямы HgTe/CdTe. Рассматривается релаксация как в дискретный, так и в непрерывный спектр краевых состояний, а также в состояния непрерывного спектра объeмного образца. Полученные результаты свидетельствуют о существовании области параметров структуры, обеспечивающей сравнительно медленную релаксацию энергии, что говорит о перспективности данных объектов, в том числе для создания новых типов твердотельных кубитов.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45111.25


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1505–1512

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024