В. Е. Никифоров, Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1565

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs

В. Е. Никифоров^a, Д. С. Абрамкин^ab, Т. С. Шамирзаев^abc

^a Новосибирский государственный университет
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург

Аннотация: Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в приповерхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs.

Поступила в редакцию: 27.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45112.26