RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1569–1573 (Mi phts6010)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$

А. Н. Акимовa, А. Э. Климовba, С. П. Супрунa, В. С. Эповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Рассмотрено влияние поверхности на вольт-амперные характеристики структур на основе пленок PbSnTe : In без магнитного поля и в магнитном поле B $\le$ 4 Тл разной ориентации, в том числе в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом. Анализ особенностей экспериментальных данных, полученных как при разном направлении магнитного поля, так и при послойном травлении пленок, показал, что вклад свободной поверхности пленок и границы с подложкой в транспортные явления существенно различен и может быть обусловлен различием параметров центров локализации вблизи этих поверхностей.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45113.28


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:11, 1517–1521

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024