А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1574

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой

А. Н. Акимов^a, А. Э. Климов^ba, Н. С. Пащин^a, А. С. Ярошевич^a, М. Л. Савченко^a, В. С. Эпов^a, Е. В. Федосенко^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Исследованы пленки PbSnTe:In с длинноволновой границей чувствительности свыше 20 мкм и низкой проводимостью без освещения. Проведено сравнение спектральных зависимостей фотопроводимости, полученных при различных температурах с использованием фурье-спектрометра, с составом пленок, определенным методом рентгеновского микроанализа. Обнаружена немонотонная зависимость длинноволнового края фоточувствительности от температуры, которая объясняется комбинацией температурной зависимости ширины запрещенной зоны PbSnTe и эффекта Бурштейна–Мосса, дающего наибольший вклад в измерения при низких температурах из-за большого времени жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что различия в значениях ширины запрещенной зоны, определяемых из измеренного состава и температурных зависимостей длинноволнового края чувствительности, могут быть связаны с неоднородностью состава пленок, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45114.29