Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11,страницы 1579

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si

Н. В. Байдусь^a, В. Я. Алешкин^ab, А. А. Дубинов^ab, К. Е. Кудрявцев^ab, С. М. Некоркин^a, А. В. Новиков^ab, Д. А. Павлов^a, А. В. Рыков^a, А. А. Сушков^a, М. В. Шалеев^ab, П. А. Юнин^ab, Д. В. Юрасов^ab, А. Н. Яблонский^ab, З. Ф. Красильник^ab

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследован рост лазерных структур InGaAs/GaAs/AlAs методом МОС-гидридной эпитаксии при низком давлении на подложках Si(001) с эпитаксиальным метаморфным буферным слоем Ge разной толщины. Представлены результаты влияния на кристаллическое и оптическое качество формируемых A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ структур температуры роста и встраивания на границе с Ge/Si(001) подложкой дополнительных слоев AlAs. Продемонстрировано, что встраивание AlAs/GaAs/AlAs решетки на начальных этапах роста A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ гетероструктур на Ge буферных слоях, выращенных на неотклоненных Si(001) подложках, позволяет значительно снизить плотность прорастающих дефектов и, как следствие, формировать эффективно излучающие лазерные структуры. Показана возможность выращивания на Si(001) подложках напряженных квантовых ям InGaAs, демонстрирующих стимулированное излучение в области длин волн больше 1100 нм.

Поступила в редакцию: 15.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45115.32