RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1325–1340 (Mi phts6014)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Обзоры

Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор

А. В. Герт, М. О. Нестоклон, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обзор посвящен моделированию нанокристаллов Si и Ge методом сильной связи. Сначала приведeн краткий обзор методов моделирования и результатов, полученных для кремниевых и германиевых нанокристаллов. Затем подробно описан метод моделирования сильной связью в варианте с учeтом орбиталей $s$, $p$, $d$, $s^{*}$ и представлены результаты, полученные на его основе для нанокристаллов кремния и германия.

Поступила в редакцию: 10.04.2017
Принята в печать: 17.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45009.8605


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1274–1289

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024