RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1341–1345 (Mi phts6015)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы явления при локальном импульсном фотовозбуждении собственных, неравновесных носителей заряда высокой концентрации в кремнии. Обнаружен эффект существенного роста времени жизни фотовозбужденных носителей заряда. Показано, что эффект существенного роста времени жизни носителей обусловлен изменением степени вырождения и смещением примесного рекомбинационного уровня к уровню Ферми, вызванных локальной термоупругой деформацией кристалла и соответствующим распределением концентрации неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 17.01.2017
Принята в печать: 06.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45010.8520


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1290–1294

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024