RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1357–1363 (Mi phts6018)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена

А. И. Ивановa, Н. А. Небогатиковаa, И. И. Куркинаb, И. В. Антоноваacd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Северо-Восточный федеральный университет им. М. К. Аммосова, г. Якутск
c Новосибирский государственный университет
d Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок ($N$-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, $\sim$10–20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля–Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии $\sim CF_{0.25}$. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 17.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45013.8498


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:10, 1306–1312

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024