Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,

Наноструктуры полупроводниковых соединений ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$ ($x$ = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1) были синтезированы с использованием темплатного метода, основанного на формировании наночастиц полупроводника в шаблонах пористого анодного оксида алюминия при помощи метода вакуумного термического испарения смеси порошков ZnS и ZnSe. Представлены результаты исследований элементного состава полученных наноструктур в зависимости от состава исходной смеси и параметров матрицы-подложки методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что состав наноструктур близок к составу исходных порошков и может быть задан соотношением ZnS/ZnSe в исходной смеси.