Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10,страницы 1410

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

Н. В. Дикарева^a, Б. Н. Звонков^a, О. В. Вихрова^a, С. М. Некоркин^a, В. Я. Алешкин^ab, А. А. Дубинов^ab

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа.

Поступила в редакцию: 14.03.2017
Принята в печать: 20.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45022.8580