Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением

Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO$_{2}$ в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge$^{+}$ и температуры отжига под давлением 12 кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO$_{2}$ под давлением 12 кбар: $D$ = 1.1 $\cdot$ 10$^{-10}\exp(-1.43/kT)$. Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO$_{2}$.