Эта публикация цитируется в
6 статьях
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области
Г. К. Кривякинa,
В. А. Володинba,
А. А. Шкляевab,
V. Mortetc,
J. More-Chevalierc,
P. Ashcheulovc,
Z. Remesc,
T. H. Stuchlikovác,
J. Stuchlikc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Czech Republic
Аннотация:
Методом плазмохимического осаждения сформированы четыре пары
$p$–
$i$–
$n$-структур на основе
$pm$-Si:H (полиморфного Si : H). Структуры в каждой паре выращивались на одной подложке так, что одна из них была без Ge в
$i$-слое, а другая содержала Ge, который осаждался слоем толщиной 10 нм методом вакуумного напыления. Пары различались между собой температурой подложки при осаждении Ge, которая была 300, 350, 400 и 450
$^\circ$C. Данные электронной микроскопии показали, что структуры, полученные при 300
$^\circ$C, содержали нанокристаллы Ge (
$nc$-Ge), центрами зарождения которых являлись нанокристаллические включения на поверхности
$pm$-Si:H. Концентрация
$nc$-Ge увеличивалась c возрастанием температуры. Исследование вольт-амперных характеристик показало, что наличие Ge в
$i$-слое уменьшало плотность тока короткого замыкания в
$p$–
$i$–
$n$-структурах, когда они использовались как солнечные элементы, тогда как наблюдалось увеличение тока под действием освещения при обратном смещении. Полученные результаты согласуются с известными данными для структур с кластерами Ge в Si, согласно которым кластеры Ge увеличивают коэффициент поглощения света, но также увеличивают и скорость рекомбинации носителей.
Поступила в редакцию: 09.02.2017
Принята в печать: 16.02.2017
DOI:
10.21883/FTP.2017.10.45024.8547