Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10,страницы 1426

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs

Д. Л. Алфимова^a, Л. С. Лунин^ab, М. Л. Лунина^a, Д. А. Арустамян^b, А. Е. Казакова^b, С. Н. Чеботарев^ab

^a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
^b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия

Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур.

Поступила в редакцию: 28.12.2016
Принята в печать: 28.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45025.8511