RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1155–1159 (Mi phts6032)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении

И. Е. Мaтяшa, И. А. Минайловаa, Б. К. Сердегаa, Л. И. Хируненкоb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследованы распределения внутренних механических напряжений нелегированного и легированного оловом кремния и влияния на них облучения электронами с энергией 5 МэВ и температурной обработки при 450$^\circ$C. Измерения напряжений проводились методом, основанным на регистрации двулучепреломления с помощью модуляционной поляриметрии. Показано, что легированный оловом кремний имеет полосы точечных дефектов с неоднородным распределением остаточных напряжений до 20 кг/см$^{2}$. Температурная обработка при 450$^\circ$C приводит к повышению остаточных напряжений в образце до 50 кг/см$^{2}$. Выявлено, что радиационные дефекты, которые образовались при облучении кремния, легированного оловом, приводят к уменьшению остаточных напряжений до 2–3 кг/см$^{2}$.

Поступила в редакцию: 20.01.2017
Принята в печать: 06.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44876.8527


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1107–1110

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024