RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1176–1181 (Mi phts6035)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм

А. В. Бабичевabc, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевa, А. Г. Гладышевbc, Л. Я. Карачинскийbdc, И. И. Новиковbdc, С. А. Блохинd, М. А. Бобровd, Ю. М. Задирановd, С. И. Трошковd, А. Ю. Егоровbc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Продемонстрирована возможность формирования гибридных метаморфных гетероструктур вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 нм. Метаморфная полупроводниковая часть гетероструктуры с распределенным брэгговским отражателем на основе пары GaAs/AlGaAs и активной областью на основе квантовых ям InAlGaAs/InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(100). Верхнее диэлектрическое зеркало с распределенным брэгговским отражателем сформировано на основе пары SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$ методом магнетронного распыления. Проведено изучение спектров микрофотолюминесценции гетероструктур вертикально излучающих лазеров при комнатной температуре в диапазоне мощностей 0–70 мВт (длина волны оптической накачки составила 532 нм, диаметр сфокусированного пучка $\sim$1 мкм). Наличие сверхлинейного хода зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки наряду с заужением полуширины пиков фотолюминесценции и изменением модового состава могут быть обусловлены лазерной генерацией гетероструктуры вертикально излучающих лазеров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования технологии метаморфного роста гетероструктур на подложках GaAs для создания вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм.

Поступила в редакцию: 15.02.2017
Принята в печать: 22.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44879.8557


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1127–1132

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024