RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1223–1228 (Mi phts6042)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами

В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина, К. П. Мельник

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Аннотация: Предложена методика составления аналитического выражения экспериментальной кривой, имеющей один или несколько изломов. В зависимости от схемы участия парциальных процессов в результирующем процессе при составлении используются вычисления суммы процессов или их среднего геометрического значения. Для повышения точности аппроксимации в данные выражения введены “функции участия” процессов, ход которых определяется координатой точки пересечения процессов и “параметром точности”. Их подбором точность аппроксимации устанавливается соответствующей точности измерения экспериментальной кривой. Показано применение предлагаемой методики в аналитических расчетах с комбинацией нескольких процессов, а также при составлении аналитического выражения экспериментальной кривой с изломами. Получаемое таким способом аппроксимирующее выражение характеризуется наглядностью, высокой точностью аппроксимации, физической простотой и может быть использовано для вычисления других свойств полупроводникового прибора.

Поступила в редакцию: 16.01.2017
Принята в печать: 07.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44886.8402


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1174–1179

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024