RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1229–1234 (Mi phts6043)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга

Д. А. Богдановabc, Г. А. Горбатовскийb, В. Н. Вербицкийb, А. В. Бобыльb, Е. И. Теруковbd

a Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Разработан метод оценки эффективности работы $\alpha$-Si/$\mu c$-Si солнечных модулей на основе анализа данных мониторинга значения тока и напряжения в точке максимальной мощности и данных измерения температуры поверхности модуля. Приведена методика оценки параметров работы $\alpha$-Si/$\mu c$-Si модулей в ходе эксплуатации после начальной деградации модуля, и произведено сравнение результатов оценки параметров со значениями, измеренными в лаборатории. Ошибка оценки параметров не превысила 3%, для максимальной мощности модуля в стандартных условиях ошибка оценки составила 0.36%. Данная методика может применяться для оценки эффективности модуля и краткосрочного прогнозирования (день, неделя) мощности генерируемой солнечной энергоустановкой в условиях эксплуатации с использованием стандартных средств мониторинга.

Поступила в редакцию: 15.12.2016
Принята в печать: 09.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44887.8018


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1180–1185

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024