Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. II. Энергетическая эффективность

Впервые изучена энергетическая эффективность оптоэлектронных коммутаторов на основе высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров, управляемых пикосекундными лазерными импульсами, при формировании импульсов напряжения на активной нагрузке $R_{L}$. Показано, что при заданных значениях амплитуды $U_{R}$ и длительности $t_{R}$ импульсов существуют оптимальные величины площади приборов, энергии и коэффициента поглощения управляющего излучения, обеспечивающие максимальный общий коэффициент полезного действия коммутатора $\sim$0.92. Все три типа коммутаторов обладают практически одинаковой эффективностью при малых $t_{R}$, а при больших $t_{R}$ заметным преимуществом обладают фототиристоры.