RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1273–1277 (Mi phts6050)

Физика полупроводниковых приборов

Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи

М. А. Ройзa, А. Н. Барановb, А. Н. Именковa, Д. С. Буренинаa, А. А. Пивовароваa, А. М. Монаховa, Е. А. Гребенщиковаa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut d’Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, Montpellier, France

Аннотация: На основе квантово-размерной наногетероструктуры GaInAsSb/AlGaAsSb изготовлены и исследованы образцы сдвоенных полупроводниковых дисковых лазеров (длина волны излучения $\lambda\approx$ 2.28 мкм), работающих на модах шепчущей галереи. Изучены спектры излучения и диаграммы направленности лазерных систем двух типов – с наличием перемычки между резонаторами и без нее. Обнаружено появление коллективных мод в обоих типах сдвоенных дисковых лазеров с межмодовым расстоянием, в 2 раза меньшим, чем у одиночных лазеров. Высказано предположение, что данный эффект обусловлен перетеканием излучения из одного дискового лазера в другой.

Поступила в редакцию: 13.02.2017
Принята в печать: 20.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44894.8549


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:9, 1224–1228

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024