RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1011–1013 (Mi phts6054)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок

М. А. Коржуев, А. Б. Михайлова, М. А. Кретова, Е. С. Авилов

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия

Аннотация: В рамках теории плотнейших шаровых упаковок исследованы процессы формирования сложных кристаллических структур – слоистых кристаллов тройных сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) с различной симметрией (пространственные группы $R\bar3m$, $P\bar3m_{1}$ и $P2_{1}/m$). Найдено, что структуры слоистых бинарных сплавов типа Bi$_{2}$Te$_{3}$ $(R\bar3m)$ и типа PbTe ($Fm\bar3m$ и $R3m$) являются родственными и формируются на основе триплета $s$3 с кубической симметрией $(Fm\bar3m)$, образованного атомами халькогенов (Se,Te).

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44774.43


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 969–971

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024