RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1048–1051 (Mi phts6065)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости

Г. Н. Исаченкоab, А. Ю. Самунинa, В. К. Зайцевa, Е. А. Гуриеваa, П. П. Константиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследованы термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$, легированного Ga и Li. Получены образцы с концентрацией дырок до 5 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Измерены температурные зависимости термоэдс, электропроводности и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Наблюдается более высокая подвижность свободных носителей на образцах, легированных литием, чем в образцах с галлием. Максимальная безразмерная термоэлектрическая добротность на исследованных образцах составила 0.42 при 700 K.

Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44785.54


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1005–1008

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024