RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1075–1077 (Mi phts6072)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии

В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С использованием сандвич-метода легирования монокристаллического бездислокационного кремния магнием исследована диффузия примеси в диапазоне температур 1000–1200$^\circ$С. Найденная зависимость коэффициента диффузии межузельного магния от температуры универсальным образом описывает данные настоящей работы и ранее исследованную температурную область 600–800$^\circ$С. Малая энергия активации диффузии (1.83 эВ) свидетельствует о межузельном транспорте примеси.

Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 15.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44792.8532


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1031–1033

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024