RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1088–1090 (Mi phts6075)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC

А. А. Лебедевa, Б. Я. Берa, Г. А. Оганесянa, С. В. Беловa, С. П. Лебедевab, И. П. Никитинаa, Н. В. Середоваa, Л. В. Шаховa, В. В. Козловскийc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4$H$-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей $(V_{d})$ составила $\sim$110 см$^{-1}$. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ наблюдалась при дозах облучения $\sim$6 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4$H$ и 6$H$ карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой “дефектной” фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 06.02.2017
Принята в печать: 08.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1044–1046

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024