RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1091–1095 (Mi phts6076)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния

К. С. Секербаевab, Е. Т. Таурбаевab, А. И. Ефимоваc, В. Ю. Тимошенкоcd, Т. И. Таурбаевab

a НИИ экспериментальной и теоретической физики, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы
b Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы оптические свойства анизотропных пленок мезопористого кремния, содержащих свободные носители заряда (дырки), в инфракрасной области спектра. Результаты моделирования оптических свойств полученных образцов в рамках приближения эффективной среды демонстрируют сильную зависимость двулучепреломления, анизотропии отражения и дихроизма от концентрации свободных носителей заряда. Вкладом носителей заряда с концентрацией порядка 10$^{19}$ см$^{-3}$ объясняются немонотонные зависимости спектров разностного пропускания образцов, измеренные при взаимно перпендикулярных направлениях поляризации света. Полученные результаты свидетельствуют о перспективности анизотропных кремниевых наноструктур для инфракрасной фотоники и терагерцовой техники.

Поступила в редакцию: 13.12.2016
Принята в печать: 25.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44796.8119


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:8, 1047–1051

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024