В. М. Грабов, Е. В. Демидов, Е. К. Иванова, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, С. В. Сенкевич, “Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7,страницы 867

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута

В. М. Грабов^a, Е. В. Демидов^a, Е. К. Иванова^a, Н. С. Каблукова^a, А. Н. Крушельницкий^a, С. В. Сенкевич^b

^a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для улучшения структуры тонких пленок висмута, получаемых методом термического испарения в вакууме, апробировано использование в качестве подложки ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута, сформированных на пластинах слюды. Ансамбль островков формировался путем химического травления монокристаллической пленки висмута толщиной 1 мкм, полученной зонной перекристаллизацией под покрытием. Методами рентгеноструктурного анализа, атомно-силовой микроскопии и методом дифракции отраженных электронов в сканирующем электронном микроскопе исследована структура полученных пленок.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44628.14