RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 908–911 (Mi phts6096)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Перспективы использования гексаборидов редких земель в термоэлектрических однофотонных детекторах

А. С. Кузанянa, А. А. Кузанянa, В. Р. Никогосянa, В. Н. Гуринb, М. П. Волковb

a Институт физических исследований НАН Армении, Аштарак, Армения
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Анализируются результаты компьютерного моделирования процессов распространения тепла, протекающих после поглощения одиночных фотонов с энергией 1 эВ–1 кэВ в трехслойном сенсоре термоэлектрического детектора. Рассмотрены различные геометрии сенсора с вольфрамовым поглотителем, термоэлектрическим слоем из гексаборида церия и вольфрамовым теплоотводом. Показано, что посредством изменения геометрических размеров слоев сенсора можно получать датчики для регистрации фотонов конкретного спектрального диапазона с необходимыми энергетическим разрешением и скоростью счета. Сделан вывод, что трехслойный сенсор имеет ряд преимуществ по сравнению с однослойным сенсором и обладает характеристиками, позволяющими рассматривать термоэлектрический детектор как реальную альтернативу сверхпроводящим однофотонным детекторам.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44639.25


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 870–873

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024