RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 917–920 (Mi phts6099)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы

Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Д. О. Сканченко, Е. С. Макарова, Е. В. Демидов

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование влияния модификации поверхностей тонких пленок висмута слоем сурьмы толщиной 10 нм. Сравнивались три типа структур на подложках из слюды: пленка висмута, слой сурьмы как подслой пленки висмута; слой сурьмы как покрытие пленки висмута. Выявлено существенное различие гальваномагнитных свойств полученных структур в зависимости от положения слоя сурьмы в структуре и толщины пленки висмута.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44642.28


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 879–882

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024