Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках

Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых $p$–$n$-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и $p$–$i$–$n$-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники.