RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 925–928 (Mi phts6101)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием

А. С. Ореховab, В. В. Клечковскаяa, Е. В. Раковаa, Ф. Ю. Соломкинc, С. В. Новиковc, Л. В. Бочковc, Г. Н. Исаченкоdc

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Природа формирования включений фазы моносилицида марганца в процессе роста кристаллов высшего силицида марганца до сих пор детально не изучена. На их количество (плотность) значительное влияние оказывают легирующие примеси. В работе была исследована структура кристаллов высшего силицида марганца, выращенных с различным содержанием германия в качестве легирующего элемента. Было выявлено, что увеличение концентрации германия до 1 ат% приводит к дроблению слоистых выделений моносилицида марганца и, одновременно с этим, к значительным изменениям термоэлектрических свойств кристалла высшего силицида марганца. Полученные данные об изменениях микроструктуры, возникающих в зависимости от концентрации германия, могут быть полезны для понимания механизма формирования фазы моносилицида марганца при росте кристаллов высшего силицида марганца.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44644.30


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 887–890

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024