RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 948–951 (Mi phts6107)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней

Л. Д. Иванова

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН

Аннотация: На основе анализа современной научно-технической литературы рассмотрены материалы для термоэлектрических устройств, работающих при различных температурах в интервале от 100 до 1300 K. Основное внимание уделено получению наноструктурных термоэлектрических материалов. Установлено, что наиболее перспективными методами получения таких материалов являются методы спиннигования расплава, искрового плазменного спекания и экструзия.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44650.36


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 909–912

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024