RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 959–962 (Mi phts6110)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_{4}$Sb$_{3}$

В. П. Панченкоab, Н. Ю. Табачковаb, А. А. Ивановa, Б. Р. Сенатулинb, Е. А. Андреевb

a АО "Гиредмет", Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Проведено исследование влияния условий синтеза на структуру и термоэлектрические свойства материалов на основе антимонида цинка. Рассмотрены вопросы, касающиеся влияния избыточного Zn, режимов искрового плазменного спекания и легирования In на фазовый состав и термостабильность свойств полученного материала. Материал получали методом прямого сплавления компонентов с последующим искровым плазменным спеканием. Показано, что при определенных режимах искрового плазменного спекания введение избыточного количества Zn и легирование In позволяют получить материал $\beta$-Zn$_{4}$Sb$_{3}$ со значением термоэлектрической эффективности $ZT\approx$ 1.47 при температуре 720 K, который показал стабильность свойств в рамках проведенных испытаний.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44653.39


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 920–923

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024