RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 963–965 (Mi phts6111)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)

М. А. Коржуев

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Обсуждаются причины “концентрационного коллапса” – резкого увеличения равновесной концентрации носителей заряда $n,p$ = 1 $\cdot$ 10$^{19}$ $\to$ (2–5) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ при переходе от бинарных сплавов типа GeTe и Bi$_{2}$Te$_{3}$ к тройным сплавам семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$). Явление связывается с позиционным разупорядочением гетеровалентных катионов (Ge$^{+2}$, Sn$^{+2}$, Pb$^{+2}$ $\leftrightarrow$ Bi$^{+3}$, Sb$^{+3}$) в катионной подрешетке тройных сплавов. При разупорядочении изовалентных катионов (Bi$^{+3}$ $\leftrightarrow$ Sb$^{+3}$) либо анионов (Te$^{-2}$ $\leftrightarrow$ Se$^{-2}$) явление не наблюдается.

Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44654.40


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 924–927

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024