Физика и техника полупроводников,
2017, том 51, выпуск 7, страницы 963–965
(Mi phts6111)
|
Эта публикация цитируется в
2 статьях
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)
М. А. Коржуев Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация:
Обсуждаются причины “концентрационного коллапса” – резкого увеличения равновесной концентрации носителей заряда
$n,p$ = 1
$\cdot$ 10
$^{19}$ $\to$ (2–5)
$\cdot$ 10
$^{20}$ см
$^{-3}$ при переходе от бинарных сплавов типа GeTe и Bi
$_{2}$Te
$_{3}$ к тройным сплавам семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]
$_{m}$[(Bi,Sb)
$_{2}$(Te,Se)
$_{3}$]
$_{n}$ (
$m,n$ = 0,1,2
$\dots$). Явление связывается с позиционным разупорядочением гетеровалентных катионов (Ge
$^{+2}$, Sn
$^{+2}$, Pb
$^{+2}$
$\leftrightarrow$ Bi
$^{+3}$, Sb
$^{+3}$) в катионной подрешетке тройных сплавов. При разупорядочении изовалентных катионов (Bi
$^{+3}$ $\leftrightarrow$ Sb
$^{+3}$) либо анионов (Te
$^{-2}$ $\leftrightarrow$ Se
$^{-2}$) явление не наблюдается.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
DOI:
10.21883/FTP.2017.07.44654.40
© , 2024